|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | TrenchMOS™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 2A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V |
Power - Max | 1.75W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SC-74, SOT-457 |
Корпус | 6-TSOP |
PMN34UN (Мощные полевые МОП транзисторы) and#181;TrenchMOSTM ultra low level FET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZV55-B5V6 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | PHILIPS | ||||||
BZV55-B5V6 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | NXP | ||||||
BZV55-B5V6 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | NXP | ||||||
BZV55-B5V6 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | PHILIPS | ||||||
RCH895NP-102K | SUMIDA | 22 368 | 38.67 | |||||
RCH895NP-102K | 65.60 | |||||||
RCH895NP-331K | Дроссель радиальный 330мкГн, 10%, 510мА | SUMIDA | 5 012 | 41.41 | ||||
RCH895NP-331K | Дроссель радиальный 330мкГн, 10%, 510мА | 55.20 | ||||||
RCH895NP-470K | SUMIDA | |||||||
RCH895NP-470K | 44.96 | |||||||
RCH895NP-680K | SUMIDA | |||||||
RCH895NP-680K |
|