Версия для печати
Технические характеристики OP37GS

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	1
Скорость нарастания выходного напряжения	17 V/µs
Полоса пропускания	63MHz
Ток - входного смещения	15nA
Напряжение входного смещения	30µV
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±4 V ~ 18 V
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

OP37 Low Noise, Precision, High Speed Operational Amplifier Также в этом файле: OP37GS Производитель: Analog Devices //www.analog.com OP37GS datasheet 384.78Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		8	122.40
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NSC
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт			52.52
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMC6035IM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMC6035IM			NSC
		LMC6035IM					100.04
		LMC6035IM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MCP3201-BI/P		Аналого- цифровой преобразователь 12бит, 2.7 ... 5.5 В, 300мкА	MICRO CHIP	31	284.23
		MCP3201-BI/P		Аналого- цифровой преобразователь 12бит, 2.7 ... 5.5 В, 300мкА			496.72
		MCP3201-BI/P		Аналого- цифровой преобразователь 12бит, 2.7 ... 5.5 В, 300мкА	Microchip Technology
		MCP3201-BI/P		Аналого- цифровой преобразователь 12бит, 2.7 ... 5.5 В, 300мкА	MICRO CHIP	130
		MCP3201-BI/P		Аналого- цифровой преобразователь 12бит, 2.7 ... 5.5 В, 300мкА	0.00
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	VISHAY
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONS	3 288	55.10
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A		80	21.12
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR	603
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMIC
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTO
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMI
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	1
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	JSMICRO	18	3.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"