NTJD2152PT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTJD2152PT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	8	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTJD2152PT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	775mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 570mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 8V
Power - Max	270mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJD2152P (Полевые МОП транзисторы)

Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P-Channel, SC-88 ESD Protection

Также в этом файле: NTJD2152PT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NTJD2152PT1G datasheet
60.44Kb
6стр.