FDN357N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDN357N (FAIRCHILD.)	801	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDN357N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN357N (MOSFET)

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN357N datasheet
90.6 Кб