BSH108

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH108 (PHILIPS.)	23	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH108

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	190pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH108 (MOSFET)

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Производитель:
NXP

BSH108 datasheet
318.4 Кб