BSP52
Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP50 (Биполярные NPN транзисторы Дарлингтона) NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BSP50BSP52, BSP52
Производитель:
|
