Версия для печати
Технические характеристики H11L1M

Количество каналов	1, Unidirectional
Voltage - Isolation	7500Vpk
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	DC
Тип монтажа	Выводной
Корпус	6-DIP
Корпус (размер)	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип выхода	Open Collector, Schmitt Trigger
Current - DC Forward (If)	1.6mA
Скорость передачи данных	1MHz
Ток выходной / канал	50mA
Output Type	Open Collector, Schmitt Trigger

H11L1MT Оптрон 7500Вт, 60мА, 200В, 0.65мкс Также в этом файле: H11L1MT-M, H11L1MTV, H11L1MTV-M Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com H11L1M datasheet 341,86kB 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Логический выход

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	155 260	1.90
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC	304	1.30
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	187 871	1.30
		1N4007			DIOTEC	56 930	2.68
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	312
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	266 666
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	192 416	1.30
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 807	7.04
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	19 527	1.78
		1N4007			HOTTECH	97 839	1.54
		1N4007			KLS	128 000	1.97
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	257 600	1.64
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	17 334	2.04
		1N4007			KUU	1	1.02  >100 шт.   0.51
		1N4007			CHINA	15 337	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	120 185	2.06
		1N4007			TWGMC	69	2.15
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAI/QTC
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FSC
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIR
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	QT OPTOELECTRONICS
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения			33.80
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	QT OPTOELECTRONICS
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	Fairchild Optoelectronics Group
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	Lite-On Inc
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIRCHILD	1 232
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIRCHILD
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	ONS
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	INFINEON
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000		4	15.60
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS	48
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	МАЛАЙЗИЯ
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	HOTTECH	29	34.78
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	JSMICRO
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NSC	266	96.90
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ONS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	OTHER
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR	11
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	Linear Technology
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	МАЛАЙЗИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ФИНЛЯНДИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm			48.44
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS INSTRUMENTS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 600	12.25
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	800	13.26
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	4 029	11.40
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 340	8.48

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"