| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3688 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 10A, 150W)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3688 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 10A, 150W)
|
|
|
64.56
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
81.20
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 426
|
89.28
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
745
|
46.56
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
10 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 844
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
37 769
|
1.21
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
6 821
|
1.80
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 816
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
KEEN SIDE
|
17 902
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
640
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 121
|
17.64
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
14.84
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
111
|
1 229.76
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
184
|
1 116.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
97
|
1 357.80
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|