Версия для печати
Технические характеристики ST13007

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5 @ 5A, 5V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

ST13007DFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Производитель: STMicroelectronics //www.st.com ST13007 datasheet 220.14Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA9V-5М		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	ACP
		CA9V-5М		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			19.80
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	ST MICROELECTRONICS
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	TEXAS INSTRUMENTS	173	50.83
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert			32.20
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	TEXAS INSTRUMENTS
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	TEXAS
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	TEXAS INSTRUMEN
		CD40106BE		Hex Schmitt Trigger Invert	4-7 НЕДЕЛЬ	592
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	RECTIFIER
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс		1	64.40
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	78
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	США
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	INFINEON
		IR2111S		Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	444
		КД503Б				3 660	1.86
		КД503Б			ХЕРСОН	40 408	3.72
		КД503Б			ДНЕПР	3 647	3.72
		КД503Б			RUS
		КД503Б			13518
		КД503Б			27375
		КД503Б			3108
		КД503Б			735
		КД503Б			9518
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	97	1 357.80
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"