| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | General Purpose |
| Число элементов | 2 |
| Тип выхода | DTL, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL |
| Напряжение питания | 5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Корпус | 14-SOIC |
| Output Type | DTL, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
EPM3128ATC100-5N |
|
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EPM3128ATC100-5N |
|
|
|
|
1 092.00
|
|
|
|
|
EPM3128ATC100-5N |
|
|
ALT
|
|
|
|
|
|
|
EPM3128ATC100-5N |
|
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EPM3128ATC100-5N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
332
|
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INFINEON
|
2 720
|
98.15
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
JSMICRO
|
2
|
67.27
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY
|
3
|
234.91
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONS
|
4 844
|
38.23
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
|
8 000
|
10.18
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
580
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
JSMICRO
|
18 000
|
1.61
|
|