Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 90W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 2-16F1B |
Корпус | TO-3P(N)IS |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
7812ABV (L7812ABV) | ST MICROELECTRONICS | |||||||
7812ABV (L7812ABV) | ||||||||
FNR-14K271 | FNR | 4 708 | 9.45 | |||||
FNR-14K271 | ||||||||
FNR-14K271 | FENGHUA | |||||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | JOYIN | ||||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | EPCOS | ||||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | 60 | 31.68 | |||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | EPCOS | 160 | |||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | EPCOS Inc | ||||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | TDK (EPCOS) | ||||||
S20K250 | 195Дж, 250В, 10000А | TDK-EPC | ||||||
КР1157ЕН1201Б | (90-97г) | 16.12 | ||||||
КТ3198ГBFR91A |
|