IRFB11N50APBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB11N50APBF (VISHAY)	1	157.44

Версия для печати

Технические характеристики IRFB11N50APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1423pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB11N50APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB11N50APBF datasheet
202.5 Кб