|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
2SD2333 (MATSUSHITA) |
8 |
204.12
|
|
|
2SD2333 |
 |
115.76
|
|
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 80 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 600 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 5 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 8
Корпус: TO3PML
|
Версия для печати
