| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
|
|
130.80
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
США
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
|
|
154.80
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HER107 (1A 800V 75NS) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HER107 (1A 800V 75NS) |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
HER107 (1A 800V 75NS) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
|
1
|
498.00
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
|
117
|
95.04
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
DIODES INC.
|
145
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
41
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MBR745 |
|
Диод Шоттки 45V 7,5A
|
ВЗПП
|
80
|
91.80
|
|
Версия для печати
