FQPF3N80C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF3N80C		154.80

Версия для печати

Технические характеристики FQPF3N80C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	705pF @ 25V
Power - Max	39W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP3N80C

800V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF3N80C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF3N80C datasheet
812.49Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220		120.00
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
HFA08TB60SPBF	Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A	VISHAY
HFA08TB60SPBF	Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A
OB2269CP
OB2269CP		ON-BRIGHT
OB2269CP
OB2269CP		4-7 НЕДЕЛЬ
М4203 300МА
М4203 600В