![]() |
![]() |
О компании | ![]() |
Контакты | ![]() |
Каталог | ![]() |
Как купить? | ![]() |
Доставка | ![]() |
Вакансии | ![]() |
![]() |
![]() |
Вход | ![]() |
![]() |
20 Ноябрь 2023
По статистическим данным World Semiconductor по итогам 3 квартала 2023 года средняя цена полупроводниковой продукции выросла на 3.6% относительно второго квартала и на почти 12% год к году. При этом наблюдается рост продаж порядка 6.3% относительно 2 квартала и снижение этого показателя год к году на 4,5 %. Крупнейшим рынком по прежнему остается Китай 39,2 млрд. долларов, вторым по величине США 35,4 и Азиатско -Тихоокеанский регион (без учета Китая и Японии ) 33.0,9 млрд. долларов. Динамика по крупнейшим региона отличается — для Китая квартальный рост составил 5,1%, год к году 9.4%, для США 13,9% и 2% и для Азиатско -Тихоокеанского региона 4.% и 5.6% соответственно. |
11 Июль 2025
Ученые СПбГУ разработали технологию получения материала из гидрохинона и полимера способного «хранить» электроны. Новый подход в области накопления энергии позволит создать альтернативу самым распространенным литий полимерным аккумуляторам. »»»
04 Июль 2025
В России запущено производство автоматического установщика SMD компонентов для высокоскоростной сборки печатных плат. PriPlacer8 имеет точность до 35 микрон и производительность до 15000 элементов в час. Работает с деталями от 0204 до 40х40 и платами до 430х430 мм. Особенностью модели стало программное обеспечение позволяющее интегрироваться с оборудованием зарубежных производителей и настраивать проект через интуитивно понятный интерфейс. »»»
27 Июнь 2025
Ученые Австралийского национального университета в сотрудничестве с коллегами из Манчестерского университета создали материал для хранения данных с плотностью в сотни раз превышающей современные технологии. В основе лежит одномолекулярный магнит, для работы материала необходима температура - 193 градуса по Цельсию, что пока ограничивает сферы применения но работы продолжаются. »»»
20 Июнь 2025
Ученые военно промышленного центра Китая совершили прорыв в ядерной сфере добившись контролируемой реакции водорода и лития в компактных размерах. Устройство |