Версия для печати
Технические характеристики Д814А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	7
Номинальное напряжение стабилизации,В	8
Максимальное напряжение стабилизации,В	8.5
Статическое сопротивление Rст.,Ом	6
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.07
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	40
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К174УР1				548	9.25
		К174УР1			ГРАВИТОН	27	17.90
		К174УР1			САРАНСК	138	17.90
		К174УР1			ГРАВИТОЛН
		К174УР1			34
		К174УР1			79
		К174УР1			94
		КД209Б		Кремниевый диод 400В, 0.7А		46 172	2.96
		КД209Б		Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
		КД209Б		Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	12.49
		КД209Б		Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
		КД209Б		Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ3126А				73 551	3.70
		КТ3126А			МИНСК	13 192	5.37
		КТ3126А			RUS
		КТ3126А			ИНТЕГРАЛ	1 332	12.49
		КТ3126А			ДАЛЕКС	392	8.27
		КТ3126А			1579
		КТ3126А			2000
		КТ3126А			2976
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		240	27.60
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	807	32.79
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	628	32.22
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	20	38.80
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМН
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1103
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		460	36.80
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 016	39.38
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	3 440	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"