| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
119 677
|
2.41
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
8
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
4 887
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
377 609
|
2.44
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
578 257
|
1.94
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
11 200
|
2.07
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
161 796
|
1.65
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
29 091
|
1.62
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
43 692
|
1.97
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
485
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KEEN SIDE
|
1 110
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MERRYELC
|
2 400
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ST MICROELECTRONICS
|
64
|
1.17
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
988
|
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
RUME
|
26 400
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TRR
|
225 516
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
|
2 000
|
40.92
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 927
|
14.49
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
|
949
|
14.87
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
64
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
72 272
|
29.76
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 907
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
18072
|
|
|
|
Версия для печати
