Версия для печати
Технические характеристики КУ201Б

Максимальное обратное напряжение,В	25
Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В	25
Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А	5
Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А	2
Максимальное напряжение в открытом состоянии,В	2
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А	0.1
Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А	0.35
Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В	6
Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В	10
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс	5
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс	3
Время включения,мкс	10
Время выключения,мкс	100
Рабочая температура,C	-60…85
Особенности	незапираемый

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТИРИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К155РУ1				208	45.29
		К155РУ1			ПЛАНЕТА
		К155РУ1			RUS
		К155РУ1			РОССИЯ	96	5.49
		К155РУ1			МИКРОН
		К155РУ1			121
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		9 600	7.36
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	15 216	13.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	1 520	21.70
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20
		КН104А					115.20
		КН104А			RUS
		КН104А			СТАРТ	800	14.84
		КР514ИД2		Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...		429	68.04
		КР514ИД2		Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ХЕРСОН
		КР514ИД2		Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ДНЕПР	62	17.90
		КР514ИД2		Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	RUS
		КР514ИД2		Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ПО "ДНЕПР"	336	82.66
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		96	25.76
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	34.01
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 280	14.32
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"