Версия для печати
Технические характеристики КС533А

Мощность рассеяния,Вт	0.35
Минимальное напряжение стабилизации,В	31
Номинальное напряжение стабилизации,В	33
Максимальное напряжение стабилизации,В	35
Статическое сопротивление Rст.,Ом	90
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	2
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	10
Рабочая температура,С	-60...100
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd25
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM337BTG			ON SEMICONDUCTOR
		LM337BTG			MOTOROLA
		LM337BTG				2	350.28
		LM337BTG			ONS
		LM337BTG			ON SEMICONDUCTO
		LM337BTG			4-7 НЕДЕЛЬ	783
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)			25.92
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)	ДАЛЕКС
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)	АЛЕКСАНДРОВ	16	53.00
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)	RUS
		КР1170ЕН5		(2931AZ-5)	20
		КС520В2		транз.		636	9.37
		КС520В2		транз.	П/П 2
		КС520В2		транз.	САРАНСК	4 871	8.48
		КС520В2		транз.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС520В2		транз.	СЗТП	40	37.48
		КС520В2		транз.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ 3126 А			RUS
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		604	13.62
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	16.40
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	180	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 284	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	6.92
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"