КС175Ж СТ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КС175Ж СТ (НОВОСИБИРСК)	45 168	3.72

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К50-35-16В-470 МКФ	Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые изолированные и неизолированные ...
КД209А КАПЛЯ		ФОТОН
КД209А КАПЛЯ
КД209А КАПЛЯ		ТОМИЛИНО
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		2 772	9.30
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	16	1.54 >100 шт. 0.77
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	1 600	21.70
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...		215	99.36
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРО-М	3 965	158.10
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	САРАНСК
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	НОВОСИБИРСК
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	КИЕВ
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	ММ
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	RUS
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	ВИСМУТ
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МОСКВА
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРОН
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРОМ
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРО М
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	5561
КР544УД1А	Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	711
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.48
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	33.48
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	327	22.32
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290