HER157 (1.5A 800V 80NS)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HER157 (1.5A 800V 80NS) (MCC)	3 458	2.12

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATMEGA8-16AI	8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL
ATMEGA8-16AI	8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...			512.00
ATMEGA8-16AI	8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	КИТАЙ
ATMEGA8-16AI	8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP
ATMEGA8-16AI	8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	436
HER30 (3А,600В)
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	20 704	8.27
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	4 621	2.96
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	60 616	1.87
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	29 640	1.80
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336
КР1182КП1Г
КР1182КП1Г
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		122	235.52
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	60	218.62
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	211	265.00
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КВАЗАР
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРРЯНСК
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	20
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	264
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3