| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
9.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
250 422
|
2.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
46 572
|
2.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
713 067
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
100 222
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 703 814
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
602 293
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
153 796
|
1.71
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
276 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
521
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
178 188
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
158 119
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
594 400
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD ARK
|
168
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
БРЕСТ
|
6 789
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
КИТАЙ
|
80
|
5.47
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
|
24 389
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SEMTECH
|
1 170
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KINGTRONICS
|
73
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
TEMIC
|
4
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 541
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
1967
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
5
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
|
|
94.36
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
36
|
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
|
|
358.80
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
251
|
|
|
|
|
|
РС10ТВ КОЖУХ |
|
|
|
|
|
|