| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 500
|
3.53
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 311
|
4.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 932
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
66 828
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
1 376
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.03
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
1
|
1.91
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
23 200
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
1 520
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
|
|
8.00
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-Y |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
|
|
19.24
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
480
|
|
|
|
|
|
2SC2655 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
280
|
1
|
12.14
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
|
349
|
24.05
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MIC
|
5 410
|
9.29
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
HOTTECH
|
2 400
|
7.38
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
BO
|
824
|
7.07
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
TRR
|
2 400
|
7.47
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
RUME
|
4 000
|
8.30
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
54
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
|
|
115.60
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
DIOTEC
|
|
|
|