| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
1 012
|
465.00
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
76
|
651.00
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 309
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
|
144
|
390.60
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
БРЯНСК
|
2
|
186.00
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
304
|
873.00
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|
|
|
2Т630Б |
|
|
БРЯНССК
|
1
|
186.00
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
4 909
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
352
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
22 796
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
3000
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
440
|
|
|
|
|
|
|
С2-33-0,25-1,5 КОМ-5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2-33-0.25-1.0К 5% |
|
|
|
|
|
|