AMS1117-1.8

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
AMS1117-1.8 (ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS.)	1 328	3-4 недели Цена по запросу
AMS1117-1.8	11 752	3.52
AMS1117-1.8 (YOUTAI)	9 683	2.45
AMS1117-1.8 (4-7 НЕДЕЛЬ)	612	3-4 недели Цена по запросу
AMS1117-1.8 (AMS OSRAM)	1 760	16.53

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	20 276	1.11
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	AUK
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	ZHEN
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP			10.72
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	KLS
SCS-20 (2.54MM)	Серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	CONNFLY
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		69	37.00
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	1 936	34.36
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	9 326	38.16
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	РАДИОДЕТ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	157
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	5643
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	6882