Версия для печати
Технические характеристики BCW68H

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	330mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BCW 67B (Биполярные PNP транзисторы) PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) Также в этом файле: BCW 68H Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BCW68H datasheet 138.06Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...			63.40
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NSC
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 457
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM335M		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SEMTECH
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	DC COMPONENTS	28 488	13.94
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)		5 349	5.01
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY	1	16.69
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	КИТАЙ	40	24.20
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KINGTRONICS
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY ME
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KLS	5	10.33
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	MIC	94	7.16
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	HOTTECH	8 516	7.27
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	YANGJIE	56 400	9.44
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SUNTAN
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт		16	14.88
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	44	49.97
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"