| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B66358GX187 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B66358GX187 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B66358GX187 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
|
B66358GX187 |
|
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
78 600
|
1.10
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
3
|
3.54
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.63
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
364 578
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
104
|
1.45
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
155 210
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
33 425
|
1.09
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
30 651
|
1.41
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
1 097
|
1.45
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
70 396
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
24 664
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
80
|
1.05
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
RUME
|
2 400
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
TRR
|
7 200
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
1 858
|
16.59
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
|
8 867
|
3.10
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
MIC
|
16
|
5.60
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
КИТАЙ
|
8
|
24.20
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YJ
|
40 476
|
4.13
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14
|
9.99
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
---
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KLS
|
236
|
6.90
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE
|
27 480
|
3.72
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
HOTTECH
|
9 704
|
3.93
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
3
|
9.14
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SEP
|
8
|
25.51
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
TRR
|
1 520
|
2.51
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KOME
|
3 736
|
4.81
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
5 673
|
2.75
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
OLITECH ELECTRONICS
|
300
|
3.47
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
RUME
|
40
|
2.51
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
|
|
11.48
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ПГ3-3П3НВ |
|
Переключатель малогабаритный 3 положения, 3 направления
|
|
638
|
636.00
|
|
|
|
ПГ3-3П3НВ |
|
Переключатель малогабаритный 3 положения, 3 направления
|
ПОЛТАВА
|
|
|
|
|
|
ПГ3-3П3НВ |
|
Переключатель малогабаритный 3 положения, 3 направления
|
БЕЛОВО
|
|
|
|
|
|
ПГ3-3П3НВ |
|
Переключатель малогабаритный 3 положения, 3 направления
|
|
|
|
|