PMGD290XN
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
PMGD290XN (NXP.) |
429 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
PMGD290XN (JSMICRO) |
24 |
8.70
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики PMGD290XN
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 860mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 34pF @ 20V |
| Power - Max | 410mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
