S1M

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
S1M (DC COMPONENTS)	37 531	3.67
S1M (DIOTEC)	764 877	2.53
S1M	1 656	5.55
S1M (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	13 564	3-4 недели Цена по запросу
S1M (FAIRCHILD.)	256	3-4 недели Цена по запросу
S1M (SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD)	616	2.14
S1M (КИТАЙ)	800	7.81
S1M (MIC)	1 442 741	1.35
S1M (YJ)	80 000	2.07
S1M (KOME)	4	2.28
S1M (HOTTECH)	268 662	1.29 >500 шт. 0.43
S1M (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG.)	64	3-4 недели Цена по запросу
S1M (LGE)	216 000	1.03
S1M (KLS)	72	1.47 >500 шт. 0.49
S1M (SUNTAN)	163 110	1.10 >100 шт. 0.55
S1M (YANGJIE)	140 032	1.62 >100 шт. 0.81
S1M (WUXI XUYANG)	192	1.80
S1M (TDD)	9 529	1.16 >100 шт. 0.58
S1M (HXY)	26 576	1.78 >100 шт. 0.89
S1M (MDD)	1	1.70 >100 шт. 0.85
S1M (KEEN SIDE)	625	1.32 >500 шт. 0.44
S1M (ELZET)	1 360	1.11 >500 шт. 0.37
S1M (TRR)	9 600	1.29 >500 шт. 0.43

Версия для печати

Технические характеристики S1M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	1.8µs
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.