|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC153DR (SN74HC153DR) |
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC153DR (SN74HC153DR) |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 674
|
21.00
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8 666
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
20 523
|
26.57
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON / IR
|
200
|
29.28
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
RUME
|
7 520
|
18.31
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4 004
|
29.96
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
|
7 208
|
33.30
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS
|
6 860
|
15.39
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
XINBOLE
|
9 614
|
16.80
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
26
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ONS
|
65
|
760.12
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
|
|
560.00
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
632
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
|
18.36
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
3
|
16.80
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
26
|
41.58
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|