| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
28
|
25.44
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
52.40
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
409
|
|
|
|
|
 |
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
136
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
31 333
|
18.46
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
|
6 991
|
8.32
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
4 800
|
2.18
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KLS
|
308
|
5.01
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TRR
|
7 280
|
5.17
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TECH PUB
|
120
|
7.05
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
150
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
33
|
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 028
|
47.53
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
|
|
70.00
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
YOUTAI
|
4 072
|
6.73
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
UMW
|
5 600
|
5.17
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
311
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
|
Компаратор ; Каналов: 2; Выход: Open-Collector; Совместимость: MOS, CMOS, TTL; Uпит: ...
|
56
|
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
57
|
38.41
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
|
2 832
|
44.87
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 236
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
453
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
70
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
PESD3V3S1UB,115 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
1
|
4.07
|
|
Версия для печати
