|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG509FBRN |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG509FBRN |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG509FBRN |
|
|
|
|
|
|
|
|
ADG509FBRN |
|
|
|
|
|
|
|
|
ADG509FBRN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
414
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 707
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
14 655
|
8.93
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
12 435
|
3.70
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.41
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 691
|
6.20
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
2 916
|
4.57
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
2 208
|
5.07
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
14 400
|
3.52
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
|
1 592
|
169.02
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PWR
|
1 544
|
166.91
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
246
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PWR
|
20
|
293.67
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
|
|
243.20
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
172
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
165 776
|
5.55
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|