Версия для печати
Технические характеристики TLC27L4CN

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 16 V, ±1.5 V ~ 8 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	57µA
Напряжение входного смещения	1100µV
Ток - входного смещения	0.7pA
Полоса пропускания	110kHz
Скорость нарастания выходного напряжения	0.05 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	General Purpose
Серия	LinCMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

TLC27L4 (Счетверенные операционные усилители) LinCMOSE PRECISION QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TLC27L4CN Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TLC27L4CN datasheet 603.12Kb 37стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		559	5.55
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	14 623	2.88
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	17 622	4.46
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	12 812	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 780	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	10.93
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.18  >100 шт.   0.59
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	278	3.84
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	306	2.02
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	3	2.20
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	11475
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	3599
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	4726
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	583
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	1	2.89
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	12.49
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	1	4.58
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ	8	2.25
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		24 914	1.50  >500 шт.   0.50
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	1.40
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	5
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	ST MICROELECTRONICS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В		6	33.30
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	HGSEMI	8	15.02
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	4-7 НЕДЕЛЬ	510
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS	2 000	25.44
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS		6	68.04
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMEN
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	FAIRCHILD
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TOSHIBA
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	1
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	КИТАЙ	26	32.79
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	4-7 НЕДЕЛЬ	168
		ULN2004AN		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	2604
		КД213Г		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		241	35.15
		КД213Г		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ФОТОН
		КД213Г		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	8	214.72
		КД213Г		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"