|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
8 996
|
4.77
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 699
|
8.71
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
28 800
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
370
|
1.78
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.17
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 816
|
1.60
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
17
|
1 756.44
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
856
|
273.12
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
2 276
|
278.71
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 278
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
48 066
|
113.65
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
11 136
|
120.73
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
87
|
229.19
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
118.59
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
216
|
108.40
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
294
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
326
|
120.78
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
755
|
107.74
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 116
|
73.10
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 333
|
114.31
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
|
|
135.24
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
296
|
|
|