Версия для печати
Технические характеристики TDA7318D

Корпус	28-SO
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Сфера применения	Hi-Fi Systems
Тип	Audio Processor
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

TDA7318 (Аудио) Digital Controlled Stereo Audio Processor Также в этом файле: TDA7318D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com TDA7318D datasheet 124.34Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Обработка аудиосигналов

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С		6 980	101.12
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	Maxim Integrated Products
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX/DALL
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM INTEGR
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	YOUTAI	25 581	61.78
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW	4 400	54.76
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW-YOUTAI
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MSKSEMI	12 396	41.30
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	4-7 НЕДЕЛЬ	741
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	30 224	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		20 400	1.11
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	408	5.47
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 344	1.20
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	23 048	1.34
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	11 200	1.54
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 424	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	16 464	1.58  >100 шт.   0.79
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KEEN SIDE	20 008	1.28  >100 шт.   0.64
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W			99.44
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	Vishay/Siliconix
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	ИНДОНЕЗИЯ
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY/IR
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	КИТАЙ
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	NXP
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	PHILIPS	8	737.86
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB		8	454.86
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	NXP
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	СИНГАПУР
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	1
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	671
		КВАРЦ 32.768 КГЦ 2Х6ММ ЧАСОВОЙ (JV-206 40КОМ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"