|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
|
3 216
|
42.84
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
YOUTAI
|
43 439
|
38.16
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW
|
7 600
|
59.93
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MSKSEMI
|
12 979
|
36.52
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
203
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
22 214
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
21 200
|
1.26
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
400
|
4.91
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 002
|
2.49
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
27 200
|
1.52
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
12 000
|
1.75
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 504
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
2 678
|
1.91
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
|
|
99.44
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
PHILIPS
|
8
|
680.40
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
|
8
|
454.86
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
566
|
|
|
|
|
КВАРЦ 32.768 КГЦ 2Х6ММ ЧАСОВОЙ (JV-206 40КОМ) |
|
|
|
|
|
|