| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
APEC
|
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
|
|
284.80
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
ADVANCED POWER
|
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
180
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 064
|
316.50
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
|
141
|
312.61
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
501
|
|
|
|
|
|
К157УД1 |
|
Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ...
|
|
168
|
41.58
|
|
|
|
|
К157УД1 |
|
Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ...
|
ПОЛЯРОН
|
52
|
41.38
|
|
|
|
|
К157УД1 |
|
Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ...
|
1010
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б (1N4148) |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 331
|
12.88
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 160
|
9.24
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 520
|
54 526.40
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
18 352
|
54 526.40
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
8.74
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
16883
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7000
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7364
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
2671
|
|
|
|
Версия для печати
