Версия для печати
Технические характеристики TDA1013B

Количество каналов	1
Выходная мощность, Вт	4.2
Напряжение питания, В	40
Тип корпуса	SIL9
Напряжение на нагрузке, В	18
Сопротивление нагрузки, Ом	8
Вид напряжения питания	однополярное

TDA1013B (Аудио-усилители) 4 W Audio Power Amplifier With Dc Volume Control Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com TDA1013B datasheet 115.43Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY861A-PU			ATMEL
		ATTINY861A-PU					498.88
		ATTINY861A-PU			MICRO CHIP
		ATTINY861A-PU			4-7 НЕДЕЛЬ	355
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	MOTOROLA
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	FRS/MOT
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	FRS
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...			147.56
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	MOT
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC3362P		Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	170
		АОТ101ВС				547	37.48
		АОТ101ВС			ОПТРОН	218	53.00
		АОТ101ВС			КАЛУГА	1 667	74.20
		АОТ101ВС			2084
		АОТ101ВС			273
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		52 876	7.56
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.04
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	983	212.00
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		241	202.40
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП	80	530.94
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ПО "ДНЕПР"	30	299.63
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"