|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD815ARB-24-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD815ARB-24-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
|
8 080
|
1.06
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
188
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
164
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
139
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YJ
|
133 397
|
1.22
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YOUTAI
|
39 699
|
2.34
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
HOTTECH
|
11 299
|
1.74
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
GALAXY ME
|
6 778
|
4.36
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW
|
6 640
|
2.07
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SUNTAN
|
230
|
2.36
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SHIKUES
|
3 822
|
1.96
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LGE
|
464
|
2.09
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
6 388
|
2.03
|
|
|
|
PCM2702E |
|
Микросхема ЦАП 16- бит стерео, SSO
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
PCM2702E |
|
Микросхема ЦАП 16- бит стерео, SSO
|
|
3
|
777.00
|
|
|
|
PCM2702E |
|
Микросхема ЦАП 16- бит стерео, SSO
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
PCM2702E |
|
Микросхема ЦАП 16- бит стерео, SSO
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
PCM2702E |
|
Микросхема ЦАП 16- бит стерео, SSO
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
789
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
49
|
393.55
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
201
|
|
|