| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® 24H |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Скорость | 40 MIPs |
| Подключения | I²C, PMP, SPI, UART/USART |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 21 |
| Размер программируемой памяти | 32KB (11K x 24) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 4K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 3 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 10x10b/12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
2.45
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 940
|
3.01
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
1
|
2.73
|
|
|
|
|
2РМ14БПН4Г1В1 5 85-89Г |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
|
Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
|
|
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
|
Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
|
Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
|
ONS
|
14
|
3.54
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
|
Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 428
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
|
Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
|
LRC
|
|
|
|
 |
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
|
2
|
75.60
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
84
|
160.06
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
Э8030 0-250 В ~2.5 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
