| Корпус (размер) | 64-TQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 16x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 16K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 256KB (85.5K x 24) |
| Число вводов/выводов | 53 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, PMP, SPI, UART/USART |
| Скорость | 32MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 24F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
676
|
3.69
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 712
|
4.07
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
3 040
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
65 933
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.02
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
80
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.02
|
|
|
|
|
ECR-160-470UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
|
ECR-160-470UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В
|
|
|
111.16
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
29 804
|
9.35
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
7 613
|
5.30
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
14.34
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
22.68
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
37
|
7.23
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
100
|
11.79
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
10 876
|
6.83
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
56 800
|
9.11
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
977
|
4.74
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
|
8 474
|
92.50
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
32
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
196
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
|
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
КИТАЙ
|
|
|
|