Версия для печати
Технические характеристики PIC24FJ256GA106-I/PT

Корпус (размер)	64-TQFP
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 16x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2 V ~ 3.6 V
Размер памяти	16K x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	256KB (85.5K x 24)
Число вводов/выводов	53
Периферия	Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, PMP, SPI, UART/USART
Скорость	32MHz
Размер ядра	16-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 24F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	13 500	3.53
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 308	4.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	47 764	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	1 376	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.98  >100 шт.   0.99
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725	1	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.54  >100 шт.   0.77
		ECR-160-470UF		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В	HITANO
		ECR-160-470UF		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В			111.16
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SEMTECH
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	DC COMPONENTS	4 911	8.18
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)		7 605	5.39
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY	1	14.45
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	КИТАЙ	40	24.20
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KINGTRONICS
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY ME
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KLS	37	10.33
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	MIC	104	6.54
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	HOTTECH	8 083	6.64
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	YANGJIE	56 600	9.29
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SUNTAN	894	4.60
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	PWR
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	POWER INTEGRATIONS
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	PI
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A		8 466	92.50
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	КИТАЙ
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	POWER INTEGRATIONS	32
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	4-7 НЕДЕЛЬ	196
		TOP234P		Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A	PI
		TOP234P		Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
		TOP234P		Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A	Power Integrations
		TOP234P		Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"