| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® XLP™ mTouch™ 16F |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 32MHz |
| Подключения | I²C, LIN, SPI, UART/USART |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 11 |
| Размер программируемой памяти | 14KB (8K x 14) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Размер памяти | 1K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
ATMEL
|
68
|
286.40
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
|
3 362
|
205.62
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
MICRO CHIP
|
3 768
|
260.54
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
446
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-AU |
|
Микросхема AVR, 1.8 - 5,5В, 32K Flash
|
103
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
|
66 000
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DC COMPONENTS
|
4 777
|
3.15
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
402
|
1.43
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIOTEC
|
16 412
|
3.57
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
6 511
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
HOTTECH
|
131 344
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YJ
|
1
|
2.13
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
OLITECH
|
297
|
2.73
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ZH
|
31 200
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ASEMI
|
73 920
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
SUNTAN
|
89
|
1.03
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KEEN SIDE
|
13 223
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
RUME
|
117 600
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
823
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47800
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47640
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 581
|
11.07
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
|
16 978
|
10.48
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 370
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TS
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
|
|
144.00
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TTI
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TAI SHING
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TAI SHING (TTI)
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
535
|
16.40
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
97.00
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
44
|
2.46
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
158
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
157
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
57
|
|
|
|