Версия для печати
Технические характеристики PIC16CE625-04/P

Корпус (размер)	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип осцилятора	External
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	3 V ~ 5.5 V
Размер памяти	128 x 8
EEPROM Size	128 x 8
Тип программируемой памяти	OTP
Размер программируемой памяти	3.5KB (2K x 14)
Число вводов/выводов	13
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, WDT
Скорость	4MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 16C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

PIC16CE62x (Микроконтроллеры) OTP 8-Bit CMOS MCU with EEPROM Data Memory Также в этом файле: PIC16CE625-04/P Производитель: Microchip Technology //www.microchip.com PIC16CE625-04/P datasheet 1.14Mb 113стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADM1232ARN		Монитор питания Uпит +5В со сторожевым таймером и кнопкой сброса, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		ADM1232ARN		Монитор питания Uпит +5В со сторожевым таймером и кнопкой сброса, -40°C - +85°C			91.24
		ADM1232ARN		Монитор питания Uпит +5В со сторожевым таймером и кнопкой сброса, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	304
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	119	75.60
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 344	88.80
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	МЕКСИКА
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	VBSEMI
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	1
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	EVVO	517	28.94
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTC
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTRON
		MC34119D		Маломощный УНЧ			48.60
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MOT
		MC34119D		Маломощный УНЧ	4-7 НЕДЕЛЬ	752
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP	536	175.11
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...		460	146.11
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP	27
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	Microchip Technology
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	ТАИЛАНД
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	4-7 НЕДЕЛЬ	798
		КТ368БМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			16.12
		КТ368БМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ368БМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ368БМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС	47	32.96
		КТ368БМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"