NSIC2020BT3G
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) |
|
|
||
| MAX16836ASA+ | MAXIM |
|
|
|||||
| MAX16836ASA+ | MAX |
|
|
|||||
| MAX16836ASA+ | Maxim Integrated Products |
|
|
|||||
| NCP1203P60G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1203P60G |
|
213.68 | ||||||
| NCP1203P60G | ONS | 40 | 87.12 | |||||
| NCP1203P60G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP1203P60G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 352 |
|
|||||
| NSI50350ADT4G | ONS |
|
|
|||||
| NSI50350ADT4G | 4 | 241.92 | ||||||
| NSI50350ADT4G | 1 |
|
|
|||||
| NSI50350ADT4G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 387 |
|
|||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NUD4001DR2G | ONS | 105 | 103.74 | |||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTOR | 81 |
|
|||||
| NUD4001DR2G |
|
|
||||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
