|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1040310811 |
|
|
Molex Inc
|
|
|
|
|
|
1040310811 |
|
|
MOLEX
|
1 364
|
66.21
|
|
|
|
1040310811 |
|
|
MOL
|
|
|
|
|
|
ADM2587EBRWZ-REEL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
13 253
|
657.10
|
|
|
|
ADM2587EBRWZ-REEL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM2587EBRWZ-REEL7 |
|
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADM2587EBRWZ-REEL7 |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADM2587EBRWZ-REEL7 |
|
|
|
1 990
|
575.16
|
|
|
|
ECH381R-02P |
|
|
|
|
|
|
|
|
ECH381R-02P |
|
|
DINKLE
|
|
|
|
|
|
ECH381R-02P |
|
|
DINK
|
5 086
|
8.11
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 464
|
12.60
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
|
|
41.24
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2 966
|
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
|
Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
372
|
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
627
|
24.80
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
|
|
20.80
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS
|
21 775
|
15.97
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 040
|
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
269
|
|
|