Версия для печати
Технические характеристики ML4800CS

Корпус	16-SOIC
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	11 V ~ 16.5 V
Current - Startup	200µA
Частота переключения	76kHz
Mode	Average Current
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

ML4800CS datasheet 118,92kB 15стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SPA17N80C3			INFINEON
		SPA17N80C3			Infineon Technologies
		SPA17N80C3
		SPA17N80C3			INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
		TNY176PN			PI
		TNY176PN					354.16
		TNY176PN			PWR
		TNY176PN			POWER INTEGRATI
		TNY176PN			POWER INTEGRATIONS
		TNY176PN			4-7 НЕДЕЛЬ	165
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		512	13.62
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	16.40
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	172	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 272	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	12.31
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные		98	22.08
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	КРЕМНИЙ	80	102.28
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	УЛЬЯНОВСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖ	4 439	16.96
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	БРЯНСК	93	25.44
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ЭЛЬТАВ
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	МИНСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ИНТЕГРАЛ
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	20
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	50
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	5551
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	97

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"