|
|
Версия для печати
| Сопротивление (Ом) | 10K |
| Число каналов | 1 |
| Температурный коэфициент | 35 ppm/°C Typical |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 5.25 V, ±2.5 V ~ 5.25 V |
| Корпус (размер) | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 14-TSSOP |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Интерфейс подключения | 4-Wire Serial (Chip Select, Increment, Up/Down) |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Число шагов | 1024 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-4.3K 1% |
|
ЧИП — резистор | 196 | 1.20 | ||||
| 0805-X7R-16-4.7МКФK | MURATA |
|
|
|||||
| 0805-X7R-16-4.7МКФK | HITANO |
|
|
|||||
|
|
|
DM3D-SF |
|
Hirose Electric Co Ltd |
|
|
||
|
|
|
DM3D-SF |
|
|
|
|||
|
|
|
DM3D-SF |
|
HI | 1 619 | 80.88 | ||
|
|
|
DM3D-SF |
|
HIROSE |
|
|
||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
649.44 | ||||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 304 |
|
|||
| TL074IDT | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| TL074IDT | ST MICROELECTRONICS SEMI | 16 |
|
|||||
| TL074IDT | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| TL074IDT |
|
|
||||||
| TL074IDT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 680 |
|