|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
|
|
61.20
|
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BFG540 |
|
Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт
|
ISC
|
1 983
|
24.51
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
7
|
39.06
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
JSMICRO
|
5 783
|
3.28
|
|
|
|
MMBTA42 (2SC4061) SOT-2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.23
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
29 036
|
4.79
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SS-8 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
|
|
43.08
|
|
|
|
SS-8 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
BM
|
1 843
|
16.49
|
|
|
|
SS-8 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
SS-8 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
BB
|
3 064
|
19.60
|
|