|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
321 973
|
1.29
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.05
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
|
|
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4016BT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
708
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
748
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 920
|
34.10
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
64
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
|
5 628
|
22.06
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
392
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
|
|
16.72
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
ИНТЕГРАЛ
|
26
|
15.12
|
|