| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
|
1
|
120.96
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIRCHILD
|
28
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONS
|
80
|
58.89
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V
|
|
|
58.00
|
|
|
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
|
2
|
346.50
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
331
|
|
|
|
|
|
К561ТЛ1А |
|
4 элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта на входах
|
|
|
38.00
|
|
|
|
|
К561ТЛ1А |
|
4 элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта на входах
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
|
К561ТЛ1А |
|
4 элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта на входах
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К561ТЛ1А |
|
4 элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта на входах
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
Версия для печати
